第383章 目瞪口呆的嘉賓們！
現場爆發了一陣熱議與轟動之聲，人們紛紛被指甲蓋大小的晶片竟然有上萬米導線長度的話語震驚了。
對此，林軒再次緩緩抬手，做出一個噤聲的動作。
看到林軒動作的人們也紛紛閉上了嘴巴，於是林軒緩緩開口說道：
“想必大家也學過電阻的概念，知道其中一個導線越長電阻就會越大的結論。
雖然這些導線實際上不是連在一起，而是分成一段段，但這並不妨礙他實際上相當於一根長導線的事實。
以前你們如果好奇為什麼小小一顆晶片，它的功率能達到65瓦、90瓦乃至120W的超大功率。
那你們現在可以將好奇降低一半了，因為你們只要想一想小小一個指甲蓋大小的晶片中，竟然有著相當於上萬米長的金屬導線。
那就知道這東西的電阻有多麼的大，知道晶片那麼多熱量大部分來自哪裡。”
聽到林軒的話語，現場的人們紛紛點頭。
此時他們已經理解了晶片裡的絕大部分熱量來自哪裡了。
答桉毫無疑問。
晶片的熱量來源除了電晶體執行時散發的熱量外，金屬導線絕對也是個貢獻熱量的大戶！
畢竟根據他們的認知，當電流透過導體時就會發熱，此時只要想一想小小指甲蓋大小的晶片之中竟有著上萬米的長度導線。
那就知道這相當於上萬米長度的導線散發的熱量絕不容忽視！
“我們之前研發出過鈷互聯技術，這鈷互聯技術不是單純的高純鈷，而是一種特殊的鈷合金。
這種鈷合金相對於單晶銅來說有著更好的導熱性以及更低的電阻。
所以我們能用鈷互聯技術造出更多核的晶片，最終能塞下更多的電晶體打敗更先進的製成工藝。
但現在我們的可以將鈷互聯技術以及銅互聯技術掃入歷史堆了，因為我們研發出了碳金屬線互連技術！”
聽到林軒的話語，現場的人們紛紛好奇地看著林軒。
他們剛剛已經知道了這個名叫碳金屬的導線電導率是僅次於超導體的導線，但不知實際效果是如何呢？
雖然剛剛林軒說出了一堆專業術語，說出了碳金屬線本質載子遷移率與最高載流量等等引數。
但人們對於這些專業術語根本聽不懂啊。
人們更想知道在不改變製程工藝的情況下，如使用碳金屬線來連線晶片的電晶體。
那最終能相比以前能塞下多少個核，能塞下有多少個電晶體！
對此，林軒也是沒有故意卡脖子，而是看著人們迷茫的眼神，他直接跳過了許多環節，來到了晶片的簡介圖片。
產品名稱：漢風四代晶片
製成工藝，45奈米制成工藝。
製程技術：碳金屬線互聯3D晶片堆疊技術（5層）……
核心數量：8核
架構：第二代漢風智慧架構
電晶體數量：35億！
漢唐安兔兔CPU跑分120159分， GPU跑分160673分。
“這……”
看著大投影螢幕中展示出來漢風三代晶片的引數資料，現場陷入了沉默。
“我這是看錯了嗎？確定看到的跑分沒有錯嗎？12萬分，超越了平果手機萬分，超越了三興S1手機萬分？”
“是啊，上面應該是寫錯了，上面的電晶體數量也應該寫錯了。
竟然寫了35億，這有些誇張了，肯定是寫錯了，應該是寫15億。”
“沒錯，漢唐科技採用的是45奈米制成工藝，想要在小小一個指甲蓋大小的晶片中塞下35億個電晶體，這怎麼可能做得到！”
“沒錯，我們肯定是看錯了，不，應該不是我們看錯了，而是做這個PPT的人寫錯了！”……
現場爆發出了一陣陣熱議之聲，人們都認為他們看錯了或者認為出現這一幕，完全是漢唐科技負責弄PPT的人在惡搞。
然而接下來林軒說出了一句話，成功地打斷了他們的幻想，讓他們迴歸到了現實之中：
“如同大家所見，我們碳金屬線相比鈷金屬線，有著超高的本質載子遷移率與最高載流量。
所以同等情況下，我們的碳金屬線發熱量更少，電導率與導熱能力更強，所以我們能塞下更多的電晶體，而不用擔憂發熱問題。
最終結果也如同大家所見，在仍採用45奈米制程工藝的情況下。
小小一個指甲蓋晶片中，我們使用5層的3D晶片堆疊技術，足足塞下了35億個電晶體！”
“啪嗒！”
前排的觀眾席中，喬布思手中握著的一次性紙杯砰然掉在了他身前的桌子上。
水花飛濺，只是剎那就濺溼了喬布思的衣服。
但此時的喬布思卻猶不自覺，只是呆呆地看著林軒，他的眼中寫滿了不敢置信！
“這不可能！”
喬布思的身旁，庫客驚呼一聲，此時也是目瞪口呆地看著上面的引數，眼中滿是不敢置信。
庫客的身旁，此時一個滿臉尊容的男人看著上面的林軒，他目光滿是複雜。
“3D晶片堆疊技術，碳金屬線互連技術……我三興當初到底做了什麼愚蠢的事情啊！”
三興電子的李老闆此時一臉痛苦，他十分後悔他當初斷供漢風一代晶片的行為。
因為如果他當初不斷供漢風一代晶片，而是仍然為漢唐科技代工手機晶片，那現在就不會走到這一步！
不會放出漢唐科技這條勐龍讓他進入到了晶片生產領域，最終造成眼前的苦果！
此時的李老闆很後悔，後悔當初他為什麼要聽從華耳街那邊的命令，而不是強硬地頂回去。
如果當初他沒有那樣做，那漢唐科技也許不會進入晶片生產領域，三興也不會與漢唐科技競爭。
也不會如同現在一般，推出了恐怖的3D晶片堆疊技術與碳金屬線互聯技術，成功用45奈米打敗14奈米…
而且這還不是漢唐科技的極限，裡面全藏著更可怕的訊息是使用了3D晶片堆疊技術與碳金屬線互聯工藝就能打敗14奈米。
那未來漢唐科技的製程工藝如果提升到32奈米或者28奈米呢？到時他們這些14奈米該如何自處？
提升10奈米乃至7奈米？做不到啊！
14奈米已經是把西方老底兒給掏空，想要進軍10奈米十分的困難！
而且最恐怖的是漢唐科技的手機晶片只是疊加了5層結構，如果再加多一層乃至兩層，那相當於塞下多少電晶體？！